燒結溫度對碳化矽陶瓷的影響

　　碳化矽陶瓷是由反應燒結而成，燒結溫度對碳化矽陶瓷的產品質量至關重要，下麵為大家介紹下燒結溫度對碳化矽陶瓷的影響。
　　1、燒結溫度與碳化矽陶瓷的致密程度及力學性能緊密相關。在試驗條件下，燒結溫度在2160～2220℃區間，碳化矽陶瓷燒結體相對密度超過96%，可以參照上述試驗溫度範圍製定碳化矽陶瓷生產的工藝控製溫度。
　　2、在試驗條件下，燒結溫度為2220℃時燒結體的密度較高，達到相對密度98%；抗彎強度39913MPa，維氏硬度2318GPa也是很大值。抗彎強度隨密度變化的關係近似為線性關係。維氏硬度值隨溫度的變化趨勢與抗彎強度的變化趨勢相仿，但波動範圍較小。
　　3、XRD檢測結果表明，燒結體的XRD掃描譜線與原料粉體的譜線符合程度較高，說明燒結過程中沒有相轉化發生，這和原料粉體以α2SiC為主的微粉是吻合的。但250℃高溫下燒結的製品幾條主要譜線的強度發生較大的變化，估計與晶粒長大有關，需要進一步探討。
　　4、斷口形貌SEM照片顯示出，燒結溫度偏低時燒結體的孔隙較多，密度較低；合適的燒結溫度下晶粒開始略有長大，燒結體致密度較高；過高的燒結溫度引起晶粒異常長大，反而結構疏鬆，密度下降。對於密度以及抗彎強度和硬度數值，好的燒結溫度是一致的,溫度點在2200℃附近。